Объем4 ГБ
Тип памятиDDR3
Пропускная способность12800 МБ/сек
Тактовая частота1600 МГц
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Количество ранков1
Радиаторнет
Форм-факторSODIMM
Напряжение питания1.35 В
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Количество чипов каждого модуля4, односторонняя упаковка